报告时间：2024年6月18日（星期二）15:00
报告地点：材料楼601室
报 告 人：余林蔚 教授
工作单位：南京大学
举办单位：材料科学与工程学院
报告简介：
超细晶硅纳米线沟道具有优异的场效应栅控能力以及诸多新颖的光电和机电物性，在探索新一代围栅晶体管（GAA-FET）、高性能显示驱动逻辑（TFT）以及构建新型仿生微纳机械等方面具有巨大的应用潜力。除了传统的“自上而下”刻蚀技术，基于金属纳米颗粒诱导的自组织生长模式，例如气-液-固（VLS）模式等，可以直接生长制备直径精细的单晶硅纳米线结构。然而，VLS模式所获得的纳米线多为竖直随机结构，难以在平面衬底上实现精准的排列和定位，更难以对其本身的形貌进行设计和控制。而这也成为自组织生长纳米线走向大规模器件应用的主要障碍。针对此技术挑战，我们提出了一种面内固-液-固（In-plane solid-liquid-solid, IPSLS）生长新模式，可直接低温生长出高品质、超细（CD<10 nm）且能够实现高密度垂直堆叠集成的晶硅纳米线沟道。这为突破现有光刻技术局限制备精细GAA-FET沟道，以及探索不依赖于晶硅衬底的Monolithic 3D器件集成构架，提供了一条全新的生长集成工艺路线。此外，基于IPSLS纳米线的独特引导生长和形貌定制能力，还可以直接一次性地批量定制生长出系列仿生机械结构，例如机械手、弹射及微振镜结构，为实现更为灵活和精确的微纳操控、NEMS逻辑以及高性能光电探测应用提供了全新的技术能力和创新平台。
报告人简介：
余林蔚，南京大学电子科学与工程学院教授，国家杰出青年基金、国家海外高层次人才计划(青年项目)、江苏省杰出青年基金和“双创个人及团队”计划等人才项目获得者。担任法国国家科学研究院终身职位研究员（CNRS-CR2）。现为英国物理协会IOP《Nanotechnology》编委，国际非晶/纳米晶薄膜半导体会议（ICANS）国际常驻顾问委员会委员。2022年以第1完成人获教育部高等学校科学研究优秀成果“自然科学”二等奖。主要研究方向：1) 硅基纳米线三维生长和集成工艺；2) GAA-FET、显示驱动TFT及柔性晶硅器件；3) 径向基光伏电池、生物/化学气氛传感及锂电储能应用。在硅基纳米线生长制备和器件集成应用等领域的系列工作，以第一或通讯作者在Physical Review Letters、Nature Communications、Nano Letters、ACS Nano、Advanced Materials、Advanced Functional Materials和Advanced Science等国际一流学术期刊上发表论文100余篇。获国际PCT发明授权专利3项和国内授权发明专利39项。主持自然科学基金“后摩尔时代重大研发计划”重点项目及多项面上研究项目，承担江苏省科技支撑计划专项，与华为终端、海思以及京东方等企业围绕相关科研成果启动多项重大“产学研”成果转化。
